قرص صلب سامسونج إيفو 990 بلس SSD سعة 4 تيرابايت، V9S4T0BW
العلامة التجارية: سامسونج
النوع: قرص SSD داخلي
التطبيق: أجهزة الكمبيوتر العميلة
السعة: 4 تيرابايت
عامل الشكل: M.2 2280
الواجهة: PCIe® 4.0 x4 / PCIe® 5.0 x2, NVMe™ 2.0
ذاكرة فلاش: Samsung V-NAND TLC
وحدة التحكم: وحدة تحكم داخلية من سامسونج
ذاكرة التخزين المؤقت: HMB (Host Memory Buffer)
سرعة القراءة المتسلسلة: تصل إلى 7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة المتسلسلة: تصل إلى 6,300 ميجابايت/ثانية
القراءة العشوائية (4 كيلوبايت، QD32): تصل إلى 1,050,000 IOPS
الكتابة العشوائية (4 كيلوبايت، QD32): تصل إلى 1,400,000 IOPS
دعم TRIM: نعم
دعم S.M.A.R.T: نعم
جمع البيانات المهملة: خوارزمية GC تلقائية
التشفير: AES 256 بت (TCG Opal, IEEE1667)
وضع سكون الجهاز: مدعوم
الأبعاد (العرض × الارتفاع × العمق): 80.15 × 22.15 × 2.38 ملم كحد أقصى
برنامج الإدارة: Samsung Magician
الموديل: V9S4T0BW
اللون: أسود
Samsung
قرص صلب سامسونج إيفو 990 بلس SSD سعة 4 تيرابايت، V9S4T0BW
خيارات التقسيط
اختر بنك أو شركة لعرض خطة التقسيط.
About this item
العلامة التجارية: سامسونج
النوع: قرص SSD داخلي
التطبيق: أجهزة الكمبيوتر العميلة
السعة: 4 تيرابايت
عامل الشكل: M.2 2280
الواجهة: PCIe® 4.0 x4 / PCIe® 5.0 x2, NVMe™ 2.0
ذاكرة فلاش: Samsung V-NAND TLC
وحدة التحكم: وحدة تحكم داخلية من سامسونج
ذاكرة التخزين المؤقت: HMB (Host Memory Buffer)
سرعة القراءة المتسلسلة: تصل إلى 7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة المتسلسلة: تصل إلى 6,300 ميجابايت/ثانية
القراءة العشوائية (4 كيلوبايت، QD32): تصل إلى 1,050,000 IOPS
الكتابة العشوائية (4 كيلوبايت، QD32): تصل إلى 1,400,000 IOPS
دعم TRIM: نعم
دعم S.M.A.R.T: نعم
جمع البيانات المهملة: خوارزمية GC تلقائية
التشفير: AES 256 بت (TCG Opal, IEEE1667)
وضع سكون الجهاز: مدعوم
الأبعاد (العرض × الارتفاع × العمق): 80.15 × 22.15 × 2.38 ملم كحد أقصى
برنامج الإدارة: Samsung Magician
الموديل: V9S4T0BW
اللون: أسود
Top Categories
Recently Viewed Products
- اختيار تحديد يؤدي إلى تحديث الصفحة بالكامل.
- يفتح في نافذة جديدة.